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【2h】

LC-VCO design optimization methodology based on the gm/ID ratio for nanometer CMOS technologies

机译：基于gm / ID比的LC-VCO设计优化方法，用于纳米CMOS技术

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作者
Fiorelli, R.; Peralías, E.; Silveira, Fernando;
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年度 2013
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. LC-VCO Design Optimization Methodology Based on the $g_m/I_D$ Ratio for Nanometer CMOS Technologies [J] . Fiorelli R., Peralias E. J., Silveira F. Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on . 2011,第7期

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2. LC-VCO design optimization at 1/f~2 phase noise performance in 65 nm CMOS technology [J] . Mingzhu Zhou, Lingling Sun, Liu Jun, Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2014,第3期

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3. Row-Based Power-Gating: A Novel Sleep Transistor Insertion Methodology for Leakage Power Optimization in Nanometer CMOS Circuits [J] . Sathanur A.Benini L.Macii A.Macii E.Poncino M. Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on . 2011,第3期

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4. LC-VCO design automation tool for nanometer CMOS technology [C] . Siwiec Krzysztof, Borejko Tomasz, Pleskacz Witold A. Design and Diagnostics of Electronic Circuits amp; Systems (DDECS), 2012 IEEE 15th International Symposium on . 2012

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5. Design of a 10GHz RF Power Amplifier in 130nm CMOS Technology Based on Wilkinson Combiner Methodology [D] . Zhao, Shanshan. 2019

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7. An all-inversion-region gm/ID based design methodology for radiofrequency blocks in CMOS nanometer technologies [O] . Fiorelli, R. 2013

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